IPB085N06L G
Numărul de produs al producătorului:

IPB085N06L G

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPB085N06L G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 80A (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventar:

12803962
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPB085N06L G Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 125µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB085N

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
IPB085N06LGINTR
IPB085N06LGINCT
IPB085N06LGXT
IPB085N06LGINDKR
SP000204190
IPB085N06L G-DG
IPB085N06LG
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STB75NF75LT4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
990
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB75NF75LT4-DG
PREȚ UNIC
1.13
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRFR8314TRPBF

MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

infineon-technologies

IPP65R660CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3

infineon-technologies

IPI80N06S407AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

infineon-technologies

IRF7413Z

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO